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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2022-08-30 瀏覽數量：
電子元器件二次篩選是一種對電子元器件進行全數檢驗的非破壞性試驗，是檢驗元器件批合格率、質量一致性的重要手段。優(yōu)科檢測認證是具備CNAS和JG資質的專業(yè)第三方元器件二篩檢測機構，接下來為大家介紹晶體管二次篩選(補充篩選)程序。
| 序 號 | 篩 選 項 目 | 方 法 GJB128A | 篩選條件或測量參數 | 說 明 | ||
| Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | ||||
| 1 | 編序列號 1） | |||||
| 2 | 電參數測試(室溫) 雙極型放大晶體管 雙極型開關晶體管 場效應晶體管 | — | hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CBO hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 VCES g m 、 VCS (OFF ) 、 I DSS | 測量參數及合格標準按合同、詳細規(guī)范或產品手冊規(guī)定 | ||
| 3 | 溫度循環(huán) | 1051 | 條件： B；循環(huán) 5 次 | 玻封器件轉換時間為不大于5min | ||
| 4 | 恒定加速度 | 2006 | Y1 方向、 196000m／ s2； 額定功率不小于 10W 的器件 98000m／ s2 | 無空腔的器件不要求 LTPD=5；不通過時全檢 | ||
| 5 | 外觀及機械檢查 | 2071 | 用 10 倍放大鏡或顯微鏡 | 可在篩選開始時增加一次 | ||
| 6 | 粒子碰撞噪聲檢測(PIND) | 2052 | 試驗條件： A | LTPD=10；不通過時全檢 | ||
| 7 | 高溫反偏(HTRB) 開關晶體管 PNP 晶體管 場效應晶體管 | 1038 | 反偏溫度： 125±2℃ 反偏電壓： 0.75VR | 其它晶體管不要求做高溫反偏篩選，高溫反偏時間為表列時間減去生產方已進行的高溫反偏。 | ||
| 96h | 72h | 48h | ||||
| 240h | 160h | 96h | ||||
| 8 | 老練前電參數測試 (室溫) | 同序號 2 | ||||
| 9 | 老練(室溫)2) | 1038 | 試驗條件： B | 老練時間為表列時間減去生產方已進行的老練時間，但不得少于 48h | ||
| 240h | 160h | 96h | ||||
| 10 | 老練后電參數測試 (室溫) | 同序號 2， 對合同或詳細規(guī)范要求的參數 計算其Δ值 計算不合格品率 | Ⅰ級 PDA≤5%(或 1 只取大值)；Ⅱ級 PDA≤10%(或 1 只取大值)；Ⅲ級PDA≤15%(或 1 只取大值)。 | |||
| 11 | 電參數測試(高溫) | 同序號 2： 溫度 按合同或詳細規(guī)范規(guī)定 | LTPD=10；不通過時全檢 | |||
| 12 | 電參數測試(低溫) 雙極型放大晶體管 雙極型開關晶體管 場效應晶體管 | 溫度按合同或詳細規(guī)范規(guī)定，測量參數： hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CEO hFE 、 I CBO g m 、 I DSS | LTPD=10；不通過時全檢 | |||
| 13 | 密封 a.細檢漏 b.粗檢漏 | 1071 | a.試驗條件： G 或 H b.試驗條件： A、 C、或 F | 無空腔的器件不要求: 內腔體積小于 1cm3僅要求做粗檢漏 | ||
| 14 | 外觀及機械檢查 | 207l | 用 10 倍放大鏡或顯微鏡 | |||
注： 1）當要求計算器件電參數的△值時應編序列號。
2）額定功率大于 1W 的器件可按規(guī)定加散熱器老練，也可不加散熱器按峰值結溫老練。
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